RF POWER TRANSISTOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/088,909

專利證號

US 9,666,685 B2

專利獲證名稱

RF POWER TRANSISTOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2017/05/30

技術說明

使用混合型電極來微縮源汲極間距離的方法來改善異質結構場校電晶體高頻特性。此方法包含：(1) 沉積金屬(2)定義蕭特基電極位置 (3) 透過自我校正技巧將部分區域金屬裸露 (4) 蝕刻裸露的金屬。此方法具有自我對準的技巧並且可以使用來改善元件的高頻特性。 技術特色 1. 提供一個具有自我對準技巧的方法來改善元件高頻特性。 2. 此結構可以被用來壓抑高頻散射現象。 3. 蕭特基金屬之間的距離，例如LGD和LGS可以微縮至0.5um以下。 4. 可透過改變蕭特基金屬延伸長度來縮短源汲極間的距離 A method of scaling source-drain distance using hybrid electrodes for high frequency performance improvement is proposed. The method includes: (1) metal deposition; (2) defining position of Schottky contact; (3) exposing partial region with self-aligned technique; (4) etching the exposure metal. This method can be used to improve high frequency performance of HFETs with self-aligned technique. Advantages 1. Provides a self-aligned technique to improve high frequency performance of HFETs. 2. This structure can be used to suppress frequency dispersion phenomena. 3. The distance of Schottky metal such as LGD and LGS can be reduced to lower than 0.5um. 4. Varies the Schottky extension length to scale the source-drain distance.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址