具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法(INTERMEDIATE EPITAXIAL STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING AN EPITAXIAL STRUCTURE)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

南韓

專利申請案號

10-2011-0139891

專利證號

10-1341824

專利獲證名稱

具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法(INTERMEDIATE EPITAXIAL STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING AN EPITAXIAL STRUCTURE)

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/12/10

技術說明

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址