高纏繞密度之四聯電極製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100120981

專利證號

I 427660

專利獲證名稱

高纏繞密度之四聯電極製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立宜蘭大學

獲證日期

2014/02/21

技術說明

四聯電極為電生理實驗越來越受重視之記錄工具，傳統四聯電極的製作需要幾個耗時的步驟，包括平順的四條微細絲的彼此螺旋纏繞以及以熱熔的程序固定此纏繞螺旋的構型。本發明以一個簡單的纏繞方法，製作出具高纏繞密度的電極，此電極不須各種耗時的熱熔或上膠程序，即能獲得穩固且耐用的結構。並且製作步驟比之前的方法更簡化，製作所需時間更大幅縮減。本發明可快速製備出神經電生理所需之四聯電極，對於需要大量四聯電極配合之微推進器製造商，應該具有市場價值。 Heat-fusing is a common process for fabricating microwire tetrodes. However, it is time-consuming, and the high-temperature treatment can easily cause the insulation of the microwire to overheat leading to short circuits. We herein provide a simple, fast method to fabricate microwire tetrodes without the heat-fusion process. By increasing the twisting density, we were able to fabricate tetrodes with good rigidity and integrity. This kind of tetrode showed good recording quality, penetrated the brain surface easily, and remained intact after chronic implantation. This method requires only general laboratory tools and is relatively simple even for inexperienced workers.

備註

本部(發文號1080023446)同意該校108年4月11日宜大研字第1081001583號函申請終止維護專利。

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研究發展處

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