發明
中華民國
095121403
I 300255
阻擋銅擴散之障礙層複合材料
國立交通大學
2008/08/21
金屬性銅擴散障礙層必須符合以下幾項要求:(a) 阻擋銅擴散能力強; (b) 電阻係數低; (c) 與介電質及銅附著良好; (d) 使銅晶粒傾向(111)方向; (e) 高溫穩定性佳。TaN具有極佳的熱 穩定性,不易結晶,因此阻擋銅擴散的能力很好,但是與同的附著力不佳,也不傾向於使上方 的銅形成(111)晶向,電阻係數也偏高。Ta則和TaN相反。因此工業界目前採用Ta/TaN堆疊,來 截長補短。 近年有許多新的材料發表,比如說TaSiN, TiSiN, WN, MoN, WCN, ZrTi, ZrTiN, TaNi等等, 但是沒有一種材料可以同時兼顧(a)-(e)所有要求。
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