門檻電壓偵測電路

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100121405

專利證號

I 421518

專利獲證名稱

門檻電壓偵測電路

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/01/01

技術說明

本電路系有關於一種偵測電路，可精確偵測電晶體門檻電壓之偵測電路。該偵測電路原理為利用延遲元件串的延遲時間對各電晶體角落之組合(快NMOS-快PMOS/FF、中NMOS-中PMOS/TT、慢NMOS-慢PMOS/SS、快NMOS-慢PMOS/FS、慢NMOS-快PMOS/SF)進行偵測，並藉由一補償電路進行各角落補償動作，可有效偵測金氧半場效電晶體之門檻電壓之變化，此外，後續補償動作可有效降低不同角落之變異性，且可判斷金氧半場效電晶體所在之角落。 A threshold voltage detection circuit comprises a first inverter, a first transistor, a second transistor, a third transistor, and a fourth transistor, wherein the inverter comprises a first terminal and a second terminal, the first transistor comprises a first end, a second end and a third end, the second transistor comprises a fourth end, a fifth end and a sixth end, the third transistor comprises a seventh end, an eighth end and the ninth end, and the fourth transistor comprises a tenth end, an eleventh end, and a twelfth end.

備註

本部(收文號1050080059)同意該校105年10月5日中產營字第1051401065號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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