發光二極體及其製造方法Light emitting diode and method for fabricating the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101123211

專利證號

I 552379

專利獲證名稱

發光二極體及其製造方法Light emitting diode and method for fabricating the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2016/10/01

技術說明

【發明內容】 本發明之主要目的係在提供一種直接設置於發光單元上之散熱膜層，俾能改善發光二極體之散熱效率以提升其產品品質並延長其發光二極體之壽命。 為達成上述目的，本發明之一態樣係提供一種發光二極體，包括：一發光單元，係為一具有PN接面之半導體晶片；以及一散熱膜層，係包括一緩衝層、一第一附著層、一第一鑽石金屬層以及一保護層，且該緩衝層、該第一附著層、該第一鑽石金屬層以及該保護層依序層疊設置於該發光單元上。 The present invention relates to a light emitting diode includes: a light emitting device that is a semiconductor with a PN junction and a heat sink layer, wherein including a buffer layer, a first adhesive layer, a first diamond-metal layer and a protective layer. The buffer layer, the first adhesive layer, the first diamond-metal layer and the protective layer were sequentially stacked on the light emitting device.

備註

本部(收文號1080026227)同意該校108年4月26日成大研總字第1081103516號函申請終止維護專利

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