Method of Substrate Lift-off for High-Efficiency Group III-V Solar Cell for Reuse

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/385,115

專利證號

US 10,916,678

專利獲證名稱

Method of Substrate Lift-off for High-Efficiency Group III-V Solar Cell for Reuse

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2021/02/09

技術說明

一種高效能III-V族太陽能電池基板剝離與再利用之方法，主要應用在發電效率最高之III-V族太陽能電池，係將原本的犧牲層（sacrificial layer）改成AlAs氧化層，經過濕氧化（Wet oxidation）處理轉變成氧化鋁（AlOx），再浸泡氧化掏離溶液蝕刻掉氧化層，即可將砷化鎵基板毫髮無傷的從複雜的III-V族太陽能電池上剝離（lift-off），如此砷化鎵基板就可以回收再利用（reuse），進而能夠有效地利用於光電元件以及降低成本。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

網址