深紫外光學鍍膜裝置及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104132846

專利證號

I 625404

專利獲證名稱

深紫外光學鍍膜裝置及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2018/06/01

技術說明

本研究擬引進電漿理論與技術，開發封閉式非平衡高能磁控濺鍍系統，改進反應濺鍍化合物薄膜 時反應不完全所造成的吸收，及靶材毒化所引起鍍率慢、電漿狀態不穩等缺點，此外此系統也可增 加成膜能量以提高薄膜製密性，進而研發出一具有高機械及光學品質的新濺鍍方法，本研究計畫包 含了封閉式非平衡磁控濺鍍技術、高功率脈衝電漿源濺鍍技術及透明硬膜濺鍍技術三個部分： 1. 封閉式非平衡磁控濺鍍技術： 本計劃擬自製非平衡濺鍍槍並建立其膜厚均勻性、濺鍍反應性，之後再建立共焦式電漿封閉 濺鍍系統，以提升薄膜反應性及增加電漿穩定性。 2. 高功率脈衝電漿源之濺鍍技術： 高功率脈衝電漿濺射鍍膜技術早在 90 年代陸續被提出，在濺鍍時輸入的功率以脈衝的形式呈 現，脈衝寬度在1 μs 到 1 s間，濺鍍頻率小於1 kHz，此時靶材電流密度是傳統直流濺鍍的百倍以 上，成膜能量極高，本計劃擬以高功率脈衝為電漿源並結合自製共焦式電漿封閉濺鍍系統，以提 升薄膜機械和光學性質。 3. 提升硬膜、光學膜之濺鍍技術： 光電產品如觸控面板、智能玻璃為提升其性質以及人的觀看舒適性，會在其產品上加鍍光學膜，如 抗反射膜、高反射膜及濾光片及透明保護膜，因此本計畫執行期間除了建置系統外，也會鍍製透明 硬膜及光學薄膜來測試此系統之應用性。 In this research, the plasma technique will be implemented to develop the closed field unbalanced magnetron sputtering system combined with a high-power pulsed magnetron sputtering to improve the deposition rate, the stability of plasma and the deposition energy. Then the system is applied to deposit the transparent hard films to enhance the mechanical and optical properties of thin films. The technique will be developed by following steps and they are: 1. the development of the closed field unbalanced magnetron sputtering, 2. the development of a high-power pulsed magnetron sputtering and, 3. the fabrication of transparent hard films by the closed field unbalanced magnetron sputtering system combined with a high-power pulsed magnetron sputtering.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址