自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094101536

專利證號

I253386

專利獲證名稱

自行合成式碳化鎢奈米線之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2006/04/21

技術說明

近年來於奈米製程技術與材料研發上，能自我合成且具優異場發射特性之新穎材料，已 成為各研究機構所關注之焦點。於目前所知奈米材料中，奈米碳管（Carbon Nanotubes, CNTs）由於具有質輕、高導電性、高長度/半徑比，及良好的熱與化學穩定 性，於研發及應用上最受矚目。然奈米碳管之製備因須藉由沈積一觸媒層（鐵、鈷、鎳 等材料）後再輔以化學氣相沈積法（CVD）進行，製程較顯繁雜。本發明揭櫫一種不需 觸媒、可自我合成、新穎碳化鎢奈米線之簡易製備方法。其製備重點在於利用濺鍍法於 半導體(或玻璃或金屬)基板上，沉積一層碳化鎢薄膜後，再於氮氣(或氬氣或以上之組 合)環境下經一適當之退火製程，即可得到密度高、均勻度佳、且具有低導通電場場發 射特性碳化鎢(W2C)奈米線(nanowires)結構。經由TEM、SEM與電特性量測結果得知，所 得碳化鎢奈米線之直徑與長度分別介於13～15 nm和0.1～0.3 m之間，密度則介於 210~410 m-2之間，導通電場 1.73 V/m。此一利用碳化鎢薄膜無觸媒自我合成進 行具優異場發射特性奈米線之製備方式，屬奈米科技上之創新方法，於場發射源之應用 上，尤其是場發射顯示器(field emission display, FED)，極具潛力。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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連絡電話

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