具超晶格勢壘之磁穿隧接面及包含具超晶格勢壘磁穿隧接面之裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103113944

專利證號

I 569484

專利獲證名稱

具超晶格勢壘之磁穿隧接面及包含具超晶格勢壘磁穿隧接面之裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2017/02/01

技術說明

Magnetic tunnel junction (MTJ)為設計硬碟讀取頭以及MRAM時，一個重要的組成元件。TMR ratio為評估MTJ的一個重要指標。例如較高 TMR ratio 的MTJ能提升硬碟讀取頭的靈敏度，進而能使硬碟容量提升。先前的MTJ 中barrier的部份，主要使用single barrier ，或是double barrier, 其中barrier之材料為絕緣體(例如AlOx或MgO)。本案之創新為使用由MgO與Cu所組成之superlattice barrier，可達到的進步或功效為提升評估MTJ的一個重要指標TMR ratio. 傳統上single barrier 之TMR ratio之order約為100%, double barrier MTJ之TMR ratio可達1000%。本案superlattice barrier MTJ, 使用由金屬(Cu)與絕緣體(MgO)所組成之superlattice barrier 來取代傳統的single barrier 和 double barrier結構，其TMR ratio 可達~100000%。 Our technology is a MTJ with superlattice barrier structure. TMR ratio as much as 105% is achieved in the MTJ using our technology. By traditional technology, Al2O3 and MgO is used as the tunnel barrier in the MTJ devices. The TMR ratio of these traditional MTJ devices is only about 100%~1000%. However, the TMR ratio of the MTJ with our technology may be 100-1000 times greater than that with traditional technology.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址