半導體雷射元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093122845

專利證號

I 231633

專利獲證名稱

半導體雷射元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2005/04/21

技術說明

一種半導體雷射元件的製造方法，主要包括下列步驟：首先，於一基底上提供一磊晶層結構。 其次，於磊晶層結構上形成一層罩幕層，用以定義出一選擇性活化區域。接著，離子佈植磊晶 層結構，以於選擇性活化區域以外的區域中形成一離子佈植區，此離子佈植區具有一個第一阻 值。之後，去除罩幕層，再以高溫加熱法選擇性活化選擇性活化區域，同時使離子佈植區轉變 成一層電流阻隔層。其中，電流阻隔層具有一個第二阻值，且第二阻值高於第一阻值。依此方 法，可簡化半導體雷射元件的製程，提高生產良率，並可避免電流擴散效應，提升元件性能。 A manufacturing method of semiconductor laser device includes following processes. First, a structure of epitaxial layers is provided on a substrate. Second, a mask layer is formed on the structure of epitaxial layers to define a selective activation region. Then, an ion implantation region is formed beyond the selectivity activation region by ion implanting the structure of epitaxial layers. And the ion implantation region has a first resistance. Thereafter, the mask layer is removed, and then the high temperature heating method is performed to selectively activate the selective activation region and to change the ion implantation region into a current resistance region. The current resistance region has a second resistance higher than the first resistant value. The method not only can simplify the process to improve the yield but also can avoid the current diffusion effect to improve the performance of the device.

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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