薄膜太陽能電池的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100126185

專利證號

I 424583

專利獲證名稱

薄膜太陽能電池的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/01/21

技術說明

一種薄膜太陽能電池的製造方法，包含(a)於基板上形成由二硫硒化銅銦鎵系統材料構成並可將光能轉換為電能的薄膜，(b)以吹拂方向與該薄膜之法向量夾角15˚~90˚的限制，對該薄膜直接以離子蝕刻自該薄膜表面向基板方向蝕刻移除該薄膜的部分膜體結構，而得到具有奈米尺度之錐狀結構陣列的光吸收轉換層，及(c)形成將該光吸收轉換層轉換得到的電能汲引導出的電極單元，藉由具有奈米尖錐陣列的光吸收轉換層增加光吸收面積、提升光子吸收比率，進一步改善薄膜太陽能電池的光轉換效率。 The present invention discloses a thin-film solar cell manufacturing method, comprising: (a) forming a thin-film having copper compound on a substrate, and the thin-film can transform light energy into electric energy; (b) to etching the nanostructure on the thin film directly by using ion milling to form a absorber layer having nanotips array, and furthermore the ion milling angle could be controlled from 15˚~90˚; (c) forming a conductive component to lead current generated by the absorber layer out. The absorber layer of the solar cell has plurality of nanotips, and performing a rough and uneven surface. Accordingly, a light-absorbing area and reacting area can be increased, and conversation efficiency of light energy being converted into the electric energy is raised.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址