無鉛金屬鹵化物憶阻器及其用途

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110143741

專利證號

I 773596

專利獲證名稱

無鉛金屬鹵化物憶阻器及其用途

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2022/08/01

技術說明

本發明主要揭示一種無鉛金屬鹵化物憶阻器，其包括：一第一電極層、一主動層以及一第二電極層，其中該主動層形成於該第一電極層之上，且該第二電極層形成於該主動層之上。特別地，本發明係以一金屬鹵化物材料製成所述主動層。實驗結果顯示，本發明之無鉛金屬鹵化物憶阻器具有短期促進、短期抑制、長期促進、和長期抑制等突觸可塑性，因此可作一人工突觸元件以及應用於一仿神經型態計算晶片之製造。同時，實驗結果進一步顯示，本發明之無鉛金屬鹵化物憶阻器還具有多階層的電阻態記憶特性，因此可作為一非揮發性記憶元件以及應用於一儲層型態計算晶片之製造。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址