二維材料的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

201710303263.3

專利證號

ZL 2017 1 0303263.3

專利獲證名稱

二維材料的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2021/03/12

技術說明

本發明提出一種通用且簡單的物理氣相沉積與無硫屬氣氛下之後退火製程，用以形成廣泛種類的大面積、高品質二維層狀材料。金屬與硫屬元素皆藉由物理氣相方式沉積於基板表面，接著披覆一覆蓋層以避免硫屬元素在後退火製程中因昇華而損失，後退火製程促進固態結晶機制以形成大晶粒尺度的二維層狀薄膜與選擇性的結構晶向轉換。薄膜摻雜與二維層狀合金材料皆可利用此方法，並搭配適當之非當量比與複合靶材形成。 因為金屬與硫屬元素皆藉由物理氣相方式沉積於基板表面，不牽涉複雜之氣相反應物傳輸與化學反應，本方法不受限於化學氣相沉積方法所具有之眾多限制，如前驅物選擇、金屬與硫屬元素之蒸氣分壓比控制、薄膜高溫裂解反應、氣流控制等，因此本方法能大幅降低前驅物、沉積製程、硬體設備設計之困難度，且可利用目前半導體製程工業中之濺鍍、蒸鍍、電漿輔助化學氣相沉積、退火爐管等現有機台，是一種極具應用潛力之量產技術。 A fabrication method for two-dimensional materials of the present invention includes the following steps: forming a thin film having at least one two-dimensional element on a substrate; forming at least one capping layer on the thin film; annealing the thin film to form a two-dimensional material film after the capping layer is formed.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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