常壓有機金屬氣相沉積提供P型矽晶片表面鈍化之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101137403

專利證號

I 505363

專利獲證名稱

常壓有機金屬氣相沉積提供P型矽晶片表面鈍化之方法

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2015/10/21

技術說明

濺鍍沉積法(Sputtering Deposition)與原子層沉積法（Atomic Layer Deposition, ALD）是現今沉積氧化鋁薄膜較常見的方式，但因為此二種方法分別有生產量小製程複雜且昂貴，所以我們利用常壓式有機金屬物化學氣相沈積法（AP-MOCVD）沉積氧化鋁可以有效降低生產成本，本發明係一種常壓有機金屬氣相沉積提供p型矽晶片表面鈍化之方法，其步驟包含：清洗p型矽晶片基板；於反應腔體通入由鹽酸與氫氣組成的混合氣體，對該p型矽晶片基板進行熱處理；再於該反應腔體通入由氧氣或水氣、氮氣與三甲基鋁組成的混合氣體，於該p型矽晶片基板形成氧化鋁薄膜；於該反應腔體通入由氫氣和氮氣組成的混合氣體，對該p型矽晶片基板做回火處理，完成鈍化的p型矽晶片基板。 In this study, the aluminum oxide (AlOx) films as the passivation layer for CZ-silicon substrates were grown by Atmospheric Pressure Metal-Organic Chemical Vapor Deposition (AP-MOCVD) technique. An optimal condition for producing AlOx films to emphasize the passivation effect and improve the minority carrier lifetime is what we concerned. We use trimethyl aluminium (TMA), oxygen (or H2O) as the sources, nitrogen as carrier gas for growing AlOx films with the flow rate of O2 (or H2O) and deposition temperature being varied. The AlOx films were annealed by an RTA system in the forming gas (H2：N2 = 10%:90%) environment, and the minority carrier lifetime was measured by microwave photoconductive decay (μ-PCD).

備註

本部(收文號1070007680)同意該校107年1月24日原產字第1070000254號函申請終止維護專利(中原)

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