光子激發組合物

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093120860

專利證號

I 256970

專利獲證名稱

光子激發組合物

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2006/06/21

技術說明

本發明使用氧化鉺或其他稀土元素奈米粒子混合SOG或 二氧化矽奈米粒子佈塗在矽半導體上,形成一可發出通 訊波段發光層.利用光激的方式使稀土元素處於高能階 的激發狀態(excited state).或者利用電激的方式,在 發光層和半導體間接有偏壓下,電子可以利用量子力學 的穿隧效應(tunneling effect)穿透此發光層到達另 一邊,而使稀土元素處於高能階的激發狀態(excited state).當其掉回低能階時,可以放出光子.

備註

本部(收文號1060029841)同意該校106年5月4日校研發字第1060033342號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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