僅包括NMOS電晶體之邏輯閘

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098115653

專利證號

I 392234

專利獲證名稱

僅包括NMOS電晶體之邏輯閘

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/04/01

技術說明

本發明之完全由NMOS組成之邏輯閘及其製造方法，其所有邏輯閘之驅動器部分與負載部分均完全由NMOS組成，有優越速度性能、無靜態功率消耗，且可避免像傳統互補金氧半(CMOS)邏輯閘因負載部分使用PMOS，必須遷就電洞移動率較慢的問題。因本發明之邏輯閘均完全由NMOS組成，所有NMOS均可利用半導體公司最尖端製作技術節點所引許之最小特徵長度來規劃製作，故可大幅提高本發明邏輯閘與其應用電路系統之積集密度。此外，本發明邏輯閘若擴及至三五族與及碳和石墨相關半導體技術方面之應用，面積、性能與成本將有更大之獲益。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址