提升超臨界流體氧化力的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097130050

專利證號

I 394614

專利獲證名稱

提升超臨界流體氧化力的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2013/05/01

技術說明

本發明主要係提供一種提升超臨界流體之氧化活性的方法，其主要係於一超臨界流體（例如：超臨界態之二氧化碳）中加入一含氧化合物（例如：氧氣或二氧化碳），並利用一紫外光源（UV light）照射該包含有含氧化合物之超臨界流體，以透過該紫外光源所提供之能量，使該含氧化合物之分子鍵結斷裂，進而大幅提升該超臨界流體之氧化活性。因此可有效應用於各種製程薄膜或材料(例如：玻璃基板)之鈍化缺陷處理或氧化反應。由於含氧化合物通常需加熱至四、五百度以上，方可使該氧化合物之分子鍵結斷裂，因此需於高溫製程下該含氧化合物才可表現出較佳之氧化活性，然而此舉將大幅增加製程耗能，亦增加製程成本。 習用技術之含氧化合物僅於高溫製程下方可提升該超臨界流體之氧化活性，然而本發明係於低溫製程下進行，與習用技術相較具有新穎性。 A method for improving the oxidizing ability of supercritical fluid comprising: providing supercritical fluid made of oxygenates into a chamber；and irradiating the supercritical fluid by UV light to break the molecular bonds of the supercritical fluid and generate free radicals.Consequently, this invention can improve the oxidizing ability of the supercritical fluid by the free radicals with high activity.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址