異質材料之自我對準水平接合製作方法Self-Aligned and Lateral-Assembly Method for Integrating Heterogeneous Material Structures on the Same Plane

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/975,524

專利證號

US 8,846,503 B1

專利獲證名稱

異質材料之自我對準水平接合製作方法Self-Aligned and Lateral-Assembly Method for Integrating Heterogeneous Material Structures on the Same Plane

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/09/30

技術說明

本發明之主要目的，在於提供一種異質材料之自我對準水平接合製作方法，其係以自我對準(self-alignment)的方式，將兩種異質材料(例如一鍺薄膜與一矽材料)水平地接合於一基材之上，不需使用任何緩衝層或漸變緩衝層的條件下因此可降低半導體異質結構之製程材料成本；此外，於本發明之製程方法中，係採用快速熱回火製程，使得非晶的異質半導體材料可藉由快速熔融成長(RMG)而快速地側向磊晶成為單晶結構，接著將側向磊晶完成的異質半導體水平接合於另一半導體層；此種製程方式，係以最小的製程熱預算(thermal budget)達成異質材料水平接合之功效。 The primary objective of the present invention is to provide a self-aligned and lateral-assembly method for integrating heterogeneous material structures on the same plane; by using this method, two heterogeneous semiconductor materials laterally join to each other, for example, a Ge film and a silicon material, can be precisely and laterally assembled on the same substrate without using any epitaxial buffer layers or gradient buffer layers. Therefore, when applying this method to fabricating an electronic device on lateral heterogeneous material structures, not only the manufacture cost can be effectively reduced, but the difficulty of manufacturing process can also be overcome.

備註

本部(收文號1090057669)同意該校109年9月15日清智財字第1099006426號函申請終止維護專利(清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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