具有電極反轉結構之可撓性光電元件及其製作方法METHOD OF MAKING A FLEXIBLE OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING INVERTED ELECTRODE STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/743,930

專利證號

US 8,574,940 B2

專利獲證名稱

具有電極反轉結構之可撓性光電元件及其製作方法METHOD OF MAKING A FLEXIBLE OPTOELECTRONIC DEVICE HAVING INVERTED ELECTRODE STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/11/05

技術說明

很多傳統結構塑膠基板的光電元件以酸性PEDOT:PSS為電洞傳導層製作於做為陽極的銦錫氧化物上，因酸性侵蝕銦錫氧化物的原因，導致元件結構遭受破壞，元件表現衰退很快，又因塑膠基板無法承受高溫退火，而導致傳統結構塑膠基板的光電元件表現不佳，以反轉結構結合溶液法製備的電洞阻擋層可提供製作於可撓性塑膠基板、低成本、表現穩定之元件。此外，與一般的傳統結構相比，本發明製程簡單迅速，有機主動層不需退火處理，元件也不需後退火處理或只需低溫退火處理，不會破壞元件結構且元件表現穩定，可長時間在空氣中維持一定的效能。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址