覆晶金凸塊結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092106257

專利證號

I 205163

專利獲證名稱

覆晶金凸塊結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2004/06/11

技術說明

一種覆晶金凸塊結構及其製造方法，其結構係配置於晶片上之金凸塊表面鍍上鎳層及銅 層，其中鎳層係鍍於金凸塊表面，銅層則覆蓋於鎳層表面，而形成鎳/銅阻障層。藉由金 凸塊上鍍的鎳/銅層，阻障金凸塊與銲料之界面反應，而避免快速反應的金-錫間面反應， 因而避免產生脆性的覆晶凸塊接點。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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