製備氮摻雜二氧化鈦之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098122340

專利證號

I 385264

專利獲證名稱

製備氮摻雜二氧化鈦之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/02/11

技術說明

本發明是以物理氣相沈積法製備氮摻雜二氧化鈦(TiO2-xNx)可見光光觸媒薄膜，主要是通入空氣(air)取代傳統製備所需之純氮氣(N2)與氧氣(O2)，因此背景壓力可在低真空(~1.3×10-2 Pa)下製備薄膜。本發明能有效降低設備與製程成本，將使其TiO2-xNx薄膜應用更為廣泛。其背景壓力只需抽1~3分鐘達1.3×10-2 Pa (低真空)，即可進行製備。而使用純鈦靶材通入空氣(air)作為反應性氣體，以適當的air/Ar比例，可得到高純度的銳鈦礦相結晶，薄膜能階為3.11-3.14 eV，照射可見光可有效分解染劑，其為可見光光觸媒。 This invention is to prepare nitrogen-doped titanium dioxide (TiO2-xNx) films by physical vapor deposition. The focal point is to replace pure O2 and N2 mixed gases with air. The process can be conducted at high base pressures, i.e., low vacuum, which reduces significantly the pumping time while maintaining film quality and has great potential in industrial applications. It only took 1~3 min to reach the base pressure of 1.3×10-2 Pa, which is feasible for deposition. Resultant TiO2-xNx films exhibiting pure anatase phase with band gap 3.11-3.14 eV have been verfied to be visible light photocatalysts from the degradation of methylene blue (MB) in an aqueous solution.

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

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