倍頻裝置及其操作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101134839

專利證號

I 516018

專利獲證名稱

倍頻裝置及其操作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2016/01/01

技術說明

本計劃在於研究使用微機電異質整合技術，在矽製程半導體上進行波導與天線設計與製作，應用在兆赫波(次毫米波，或T-射線)影像系統，達到非侵入式或近距離偵測目的。利用T-射線頻段特性，可以有甚佳的接析度，而半導體技術更可以提高系統的可攜帶性與降低成本。但受限於訊號功率產生的大小仍然相當有限，因此高效能的訊號傳輸相當重要。在此頻段，電路區塊間的連接及訊號發射與接收的被動元件結構設計，必須考慮半導體製程特性，設計適當結構。波導與不連續介面位置，除了阻抗，電磁場型的匹配也是很重要，而天線設計也對訊號成像與接收有很大關係。被動元件的設計將分析傳統平面型式與三維型式結構的特性，以達到最佳化效能，也將配合相關子計畫開發新式適合影像系統結構。而所設計的結構將開發微機電技術進行實作，及量測驗證。在整合時，可以利用已開發的系統封裝設計平台驗證設計流程，大幅降低複雜度，簡化難度。 This project is focused on the design and fabrication of waveguide and antenna structures in silicon semiconductor technology for the imaging systems of terahertz wave (sub-millimeter wave, T-ray) to achieve non-invasive or short-range detection. T-ray provides very good sensitivity for high resolution; semiconductor technologies offer cost-effectiveness and portability. The generated power is still very limited by solid-state technologies. As such, efficient power transmission becomes very important.In this frequency band, the designs of interconnections and passive-component structures shall take into consideration the semiconductor property.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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