鐵電場效電晶體製造方法Ferroelectric thin film processing for ferroelectric field-effect transistor

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/273,200

專利證號

US 6,852,549 B2

專利獲證名稱

鐵電場效電晶體製造方法Ferroelectric thin film processing for ferroelectric field-effect transistor

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/02/08

技術說明

本案係指一種鐵電場效電晶體製造方法，其係應用於金屬/鐵電薄膜/絕緣層/半導體(MFIS) 結構的閘極電容元件製作上，該方法乃藉由在該絕緣層上沈積一鉍系鐵電薄膜，並經由一高 溫熱處理後，再鍍上一上電極層於該鉍系鐵電薄膜上，俾得致該鐵電場效電晶體結構。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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