半導體儲存記憶體結構與其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102124763

專利證號

I 531030

專利獲證名稱

半導體儲存記憶體結構與其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2016/04/21

技術說明

本發明提出一種半導體儲存記憶體結構與其製造方法。本發明之半導體儲存記憶體結構的製造方法包括利用間隙壁形成技術以形成複數條字元線與複數條位元線，並利用間隙壁形成技術將二極體結構或電流選擇層整合於縱橫栓記憶體結構中，使二極體結構或電流選擇層與記憶材料層串聯。本發明之半導體儲存記憶體結構的製造方法可提升記憶體密度，使用一次間隙壁技術即可提高兩倍記憶體密度，使用兩次間隙壁技術提高四倍記憶體密度，依此類推，如此可大幅增加記憶體密度。 A semiconductor memory storage structure and a method for manufacturing the same are provided. The method includes forming a plurality of word lines and bit lines by a spacer forming technology, moreover, forming and integrating a diode structure or a current selection layer into the crossbar memory array structure to make the diode structure or a current selection layer connect with the memory material layer in series and enhance the density of the memory.

備註

本部(收文號1090028278)同意該院109年5月15日國研授半導體企院字第1091300562號函申請終止維護專利(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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