場效電晶體之反轉通道電荷量測方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100107698

專利證號

I 460803

專利獲證名稱

場效電晶體之反轉通道電荷量測方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2014/11/11

技術說明

本發明係揭露一種場效電晶體之反轉通道電荷量測方法，其係將一場效電晶體之源、汲極選擇性導通一工作電壓端或一電流計，在源、汲極與工作電壓端導通時，驅動電荷從工作電壓端流經源、汲極，以於場效電晶體之閘極下方形成一反轉通道。接著，在源、汲極與電流計導通時，驅動電荷從反轉通道流經源、汲極，並流至電流計，以得到一電流值，最後，利用電流值計算出電荷之電量值，便可在使用簡單量測設備的前提下，進一步精準計算出單一元件的載子通道遷移率。 The present invention discloses an inverse channel charge measurement method of FET, which selectively conducts a working voltage or a current meter between the source and drain of the FET, and drives the charges flow from the working voltage end through the source and drain when the working voltage is connected and thus a reversed channel is formed below the gate, and therefore the driven charges flow from the source and drain in the reverse channel to the current meter and obtains a current value when the source drain ends are connected with the current meter. Finally, the electricity of the charge can be calculated by the current value and the mobility of the current channel in a single element can be precisely calculated by using a simple measurement device.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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