利用機械應變矽增加積體電路或元件速度的方法METHOD WITH MECHANICALLY STRAINED SILICON FOR ENHANCING SPEED OF INTEGRATED CIRCUITS OR DEVICES

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/982,375

專利證號

US 7,307,004 B2

專利獲證名稱

利用機械應變矽增加積體電路或元件速度的方法METHOD WITH MECHANICALLY STRAINED SILICON FOR ENHANCING SPEED OF INTEGRATED CIRCUITS OR DEVICES

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2007/12/11

技術說明

利用機械應變矽增加積體電路或元件速度的方法

備註

本部(收文號1060029841)同意該校106年5月4日校研發字第1060033342號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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