奈米碳管透明導電膜的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102110845

專利證號

I 489494

專利獲證名稱

奈米碳管透明導電膜的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立雲林科技大學

獲證日期

2015/06/21

技術說明

本發明為一種奈米碳管透明導電膜的製作方法包括製備鍍膜漿料、軟性基板改質、鍍膜及去除分散劑4步驟，其中該製備鍍膜漿料步驟係使奈米碳管先利用硫酸及硝酸進行前酸化處理使奈米碳管的表面鍵結羧基(-COOH)，然後利用非離子型介面活性劑作為分散劑，製成奈米碳管均勻分散於其中之鍍膜漿料，該軟性基板改質步驟係將軟性基板浸泡在含矽氧烷胺基化物單體(APTES)中進行改質，該鍍膜步驟將改質後的軟性基板浸泡在該鍍膜漿料中使奈米碳管附著在該軟性基板上後取出，如此每重覆浸泡數次鍍膜漿料的動作後，便進行一次上述之軟性基板改質的步驟，使於軟性基板上形成一層薄膜，該去除分散劑步驟係將鍍膜後的軟性基板浸泡在硝酸中進行後酸化處理，以侵蝕掉薄膜中的分散劑；藉由上述方法係可使鍍好之奈米碳管透明導電膜具有良好的穿透率、導電率及附著力。 This innovation is the application of single-wall carbon nanotubes (SWCNTs) on flexible transparent conducting film. The effect of sulfuric acid on the pre-purification of SWCNTs with different time and temperature were investigated. The sulfuric-acid process combined with the functional group consisting of acetic acid (-COOH) could make SWCNTs more purify than before and decreased the amount of sub-carbon. Anyway, these SWCNTs/PET film had the good performance on optical and electricity at the pre-treatment of sulfuric acid’s temperature and time of 120°C and 24 hrs, respectively. Therefore, the sheet resistance of SWCNTs/PC flexible film could reach 781 Ω/sq at transmittance of 70%.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財管理組

連絡電話

(05)5342601轉2521

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