可减少高度晶格常数失配影响的半导体结构及形成的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

大陸

專利申請案號

200310116551.6

專利證號

388286

專利獲證名稱

可减少高度晶格常数失配影响的半导体结构及形成的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2007/02/01

技術說明

本發明提供一種在矽底材上形成三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法，其中包含採用一(111)晶向表面之單晶矽底材。接著，一雙層緩衝結構形成在該矽底材上方，其中該雙層緩衝結構包含一單晶氮化矽層，此單晶氮化矽層是利用導入活性氮電漿或氨氣並以熱氮化方法形成在高溫矽底材上方。接著，另一緩衝層為氮化鋁層或其它三族氮化物層是以磊晶成長的方式成長在單晶氮化矽層上方。然後，氮化鎵層或三族氮化物半導體異質磊晶結構同樣是利用磊晶成長的方式成長在此雙層緩衝結構上。 The present invention provides a method for growing group-III nitride semiconductor heteroepitaxial structures on a silicon (111) substrate by using a coincidently matched multiple-layer buffer that can be grown on the Si(111) substrate. The coincidently matched multiple-layer buffer comprises a single-crystal silicon nitride (Si.sub.3N.sub.4) layer that is formed in a controlled manner by introducing reactive nitrogen plasma or ammonia to the Si(111) substrate at a suitably high temperature. Then, an AlN buffer layer or other group-III nitride buffer layer is grown epitaxially on the single-crystal silicon nitride layer. Thereafter, the GaN epitaxial layer or group-III semiconductor heteroepitaxial structure can be grown on the coincidently matched multiple-layer buffer.

備註

本部(收文號1050027638)同意該校105年4月21日清智財字第1059002057號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

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