結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統SENSING ELEMENT INTEGRATING SILICON NANOWIRE GATED-DIODES, MANUFACTURING METHOD AND DETECTING SYSTEM THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/655,109

專利證號

US 8,482,304 B2

專利獲證名稱

結合矽奈米線閘極二極體之感測元件、製造方法及其檢測系統SENSING ELEMENT INTEGRATING SILICON NANOWIRE GATED-DIODES, MANUFACTURING METHOD AND DETECTING SYSTEM THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2013/07/09

技術說明

習知場效應電晶體架構為基礎作為生物感測器。其中場效應電晶體通道材料為奈米碳管之缺點係(1)元件定位困難。(2)金屬及半導體性質碳管併存，難以分離。(3)奈米碳管表面修飾不易。其中為矽質矽奈米場效應電晶體之缺點係(1)製程複雜。(2)靈敏度較差。 本發明係揭露一新穎之生物檢測系統，該系統係以奈米線製備奈米尺度之整流特性二極體與經表面修飾以建立一高靈敏度檢測系統。利用二極體之電訊號對表面電位的敏感特性，此系統可應用於具帶電物質（如奈米粒子、化學分子、生物體等）檢測。其中使用方法係以有機矽烷偶合劑修飾奈米線閘極二極體，待測物將會吸覆在元件表面，表面電位改變因而影響系統之傳導性質。此系統較一般傳統電晶體製更容易製備具靈敏度更高。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址