應用於場效發射電特性之量測裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095131365

專利證號

I 301200

專利獲證名稱

應用於場效發射電特性之量測裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2008/09/21

技術說明

在奈米科技領域中，奈米碳管(Carbon nanotubes-CNT)、半導體奈米線(nanowires)與金屬氧化物奈米線等，近幾年來已成為熱 門的研究課題。奈米線已被證實於機械性質、電性、熱傳導、超導等特性方面遠優異於其塊材者，目前在超薄平面顯示器 (untra-thin flat-panel display devices)、微波放大器(microwave amplifier and generator)、感測器(micro sensor)、顯 微探針等應用上，奈米線之場發射特性潛力最被看好。

備註

本部(收文號1030091075)同意該校103年12月25日成大研總字第1034500872號函申請終止維護專利(成大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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