具備量子井結構之膠體量子點電激發光元件及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104125208

專利證號

I 584494

專利獲證名稱

具備量子井結構之膠體量子點電激發光元件及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺東大學

獲證日期

2017/05/21

技術說明

目前的單量子點發光層結構，由於結構較為簡單且製作容易，所以獲得普遍使用，而目前主要的改善方式都是從發光區兩側的電子和電洞傳輸層著手，開發更有效的材料，提供更多的載子注入，同時將載子侷限於發光區中，以增加載子輻射複合的機率，傳輸層的選擇除了考慮與發光層量子點的能帶匹配外，還要考量到電子電洞注入的載子平衡，並且發光區兩側的傳輸層其載子遷移率必須相當，差異太大容易造成注入不平均而使量子點帶電(quantum dot charging)，導致歐傑非輻射復合效應，在傳統量子點發光二極體的作法上，大部分結構都是使用溶液製程，薄膜的沈積方式包含旋轉塗佈、浸潤塗佈、噴墨或網印等，這樣的溶液製程要考量相鄰兩薄膜之互溶問題，因為上述的諸多條件限制，所以實際可以選擇的材料並不多，因此大幅限制量子點發光二極體之發展。為了要提升元件特性表現，多數的研究團隊都集中於開發更佳的載子傳輸材料或是發光效率更高的量子點，而在元件結構上沒有太大的突破。 The present invention discloses a quantum-well structured colloidal quantum-dot electroluminescent device and a method of fabricating the same. The quantum-well structured colloidal quantum-dot electroluminescent device comprises a substrate, a first carrier transport layer, a multilayer quantum-well structure, a second carrier transport layer and a second electrode layer. The substrate comprises a first electrode layer. The first carrier transport layer is formed on the first electrode layer. The multilayer quantum-well structure is formed on the first carrier transport layer. The multilayer quantum-well structure comprises a plurality of quantum dot layers and at last one barrier layer. The second carrier transport layer is formed on the multilayer quantum-well structure. The second electrode layer is formed on the second carrier transport layer.

備註

依112.08.07.本會112年第2次研發成果管理審查會決議辦理 本會(收文號1120016730)同意該校112年3月22日來函1121002115號申請終止維護專利(國立台東大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

綜合企劃組

連絡電話

089-517445

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