自體發電之半導體元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096129102

專利證號

I 348235

專利獲證名稱

自體發電之半導體元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2011/09/01

技術說明

本發明為有關一種自體發電之半導體元件，該半導體元件為依照標準之互補金屬氧化物半導體 (CMOS)的製程，於矽基 底上，依序設有氧化層、氮化矽層、氧化層。多晶矽層、接觸層、金屬層與鈍化層，且多晶矽層為多晶矽所構成，並透 過離子佈植之技術， 並以光罩以區別出複數P型多晶矽與N多晶矽，藉此，可達到自我供電與發電量穩定的優點，且使多 晶矽層在半導體的特性下，無接觸電阻之問題，亦可減少積體電路上所需之元件需求，同時達到省電的效果。

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

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