一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構Metal-oxide-silicon device comprises silicon-based substrate, nanometer scaled oxide layer, and metal layer

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

法國

專利申請案號

0215003

專利證號

2839204

專利獲證名稱

一種利用奈米結構提高發光效率之金氧矽結構Metal-oxide-silicon device comprises silicon-based substrate, nanometer scaled oxide layer, and metal layer

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2007/01/19

技術說明

利用奈米粒子提高發光效率之金氧矽結構

備註

本部(收文號1060029841)同意該校106年5月4日校研發字第1060033342號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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