薄膜電晶體結構Structure of thin film transistor

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/632,641

專利證號

US 6,969,890 B2

專利獲證名稱

薄膜電晶體結構Structure of thin film transistor

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2005/11/29

技術說明

本案係為一種薄膜電晶體結構及其製造方法，其步驟包含提供一絕緣 基板；於該絕緣基板上 形成一源/汲極層、一主閘極絕緣層、以及一第一導體層；對該第一導 體層進行蝕刻以定義出 一主閘極導體結構；於該主閘極導體結構上依序形成一子閘極絕緣層 及一第二導體層；以及 對該第二導體層及該子閘極絕緣層進行蝕刻以定義出一第一子閘極導 體結構、一第二子閘極 導體結構、一第一子閘極絕緣層、以及一第二子閘極絕緣層。

備註

本部(收文號1040087827)同意該校104年12月10日交大研產學字第1041013203號函申請終止維護專利

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