具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法Intermediate epitaxial structure and method for fabricating an epitaxial structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/331,423

專利證號

US 8,603,886 B2

專利獲證名稱

具蝕刻停止層的磊晶結構及其製造方法Intermediate epitaxial structure and method for fabricating an epitaxial structure

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2013/12/10

技術說明

一種具易移除犧牲層的磊晶結構的製造方法包含以下步驟：首先，製備一第一基板，接著，於該第一基板上形成一氧化鎵犧牲層，該氧化鎵犧牲層滿足GaOx，其中0.1

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址