薄膜太陽能電池模組之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100108638

專利證號

I 438919

專利獲證名稱

薄膜太陽能電池模組之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國防大學

獲證日期

2014/05/21

技術說明

　　本發明是提供一種新的薄膜太陽能電池模組形成方法，取代以往繁瑣的步驟，以往形成電池模組需要利用雷射刻劃或其它方式來進行下電極(P1)、吸收層(P2)、上電極(P3)三道圖形化步驟達成太陽能電池模組達到串聯效果，本發明將P1、P2、P3圖形化的定位在同一步驟完成，此種方法可避免多次圖形化的對準(alignment)問題，製程較簡單並可以將P1、P2、P3圖形緊密的放置再一起，減少dead zone並提高光學吸收面積，可用於薄膜太陽能電池串聯模組化的應用。 　The present invention relates to a new method for the production of thin film photovoltaic modules which can be used to replace the cumbersome steps. In the past few year, laser scribing or other techniques used to achieve the photovoltaic modules in series, which proceeding by three patterning steps-back contact(P1), absorbing layer(P2), front contact(P3). The present invention will be P1, P2, P3 patterning positioning completed in the same step. This method can avoid the multiple patterning alignment problem. Relatively simple process can put P1, P2, P3 placed close together to reduce dead zone and increase the optical absorption area. In conclusion, this method can be used to produce the series modules of thin film solar cell.

備註

本部(發文號1110012795)同意貴校111年3月4日國學研發字第1110005993號函申請終止維護專利。

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