利用點狀鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極形成選擇性有機發光二極體（OLED）發光的結構及其方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095116644

專利證號

I 304661

專利獲證名稱

利用點狀鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極形成選擇性有機發光二極體（OLED）發光的結構及其方法

專利所屬機關 (申請機關)

南臺學校財團法人南臺科技大學

獲證日期

2008/12/21

技術說明

本專利是一種利用點狀鎳摻雜銦錫氧化物（ITO）陽極形成選擇性有機發光二極體（OLED）發光的結構及其方法，該方法包括有：提供一ITO基板，其有一陽極表面，其上形成有點狀槽；沉積Ni膜；及以一研磨法將該Ni膜回磨至前述之點狀槽，致該點狀槽外的Ni膜全被去除，留下Ni膜於點狀槽內，形成點狀Ni嵌入ITO膜；藉此，OLED元件被點亮時，其周遭純ITO陽極上之OLED元件尚未被點亮，此即所謂選擇性OLED發光效果。又，因點狀Ni嵌入ITO陽極有較低的電性阻抗，故電流集中於此電極內，而可衍生出降低傳統被動式OLED面板電路上交互干擾（cross-talk）的問題。 The objective of this invention is to offer a fabrication method of an ITO anode containing point nickel for selectively lighting an OLED device. The process goes by: (a) preparing an ITO substrate provided with an anode having plural point grooves, (b) depositing a nickel film on the anode, and (c) grinding off the nickel film except those filled in the point grooves. This invention also offers a structure of OLED to selectively light, at least including a substrate provided with an anode having plural point grooves deposited with nickel, a hole transport layer formed on the anode. The point grooves deposited with nickel on the ITO anode are to have a lower resistance, allowing current to aggregate in them, able to reduce cross-talk happening often in a conventional passive OLED panel circuit.

備註

本部(收文號1040087896)同意該校104年12月10日南科大產學字第1040015834號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展暨產學合作處

連絡電話

06-2531841

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