耦合砷化銦鎵量子點綴於井之太陽能電池

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102108118

專利證號

I 502757

專利獲證名稱

耦合砷化銦鎵量子點綴於井之太陽能電池

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2015/10/01

技術說明

本發明係揭露一種耦合砷化銦鎵量子點綴於井之太陽能電池，使用堆疊多層耦合In0.75Ga0.25As量子點綴於井方式以獲得更多的光電流(Jsc)，並且因為In0.75Ga0.25As量子點長在In0.1Ga0.9As量子井上能減少應力，使得能維持住開路電壓(Voc)，以獲得好的整體效率表現。 A solar cell consists of multiple-stack layers of In0.75Ga0.25As quantum dots on In0.1Ga0.9As quantum well is disclosed. The structure improves the short-circuit current, and also maintain high open-circuit voltage by the decrease of strain effect. Therefore, high conversion efficiency is obtained for the solar cell.

備註

本部(收文號1090023163)同意該校109年4月20日興產字第1094300209號函申請終止維護專利(中興)

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