氮化鉻薄膜的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

108144125

專利證號

I 700384

專利獲證名稱

氮化鉻薄膜的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立高雄科技大學

獲證日期

2020/08/01

技術說明

一種氮化鉻薄膜的製造方法，用以解決習知氮化鉻薄膜的製造方法需要使用真空設備的問題。該氮化鉻薄膜的製造方法包含：使一鉻鹽溶液於一基板上形成一薄膜前驅體；及於1000～1350℃之溫度、800～1100 W的功率下，使用一常壓微波電漿，對該薄膜前驅體進行一常壓微波電漿退火處理3～5分鐘，以形成一氮化鉻薄膜。 (ENGLISH) A method for manufacturing a chromium nitride film is used to solve the problem of the use of a vacuum apparatus in the conventional method for manufacturing the same. The method includes forming a film precursor on a substrate using a solution of chromium salts. The film precursor is then annealed using atmospheric pressure microwave plasma at 1000-1350°C, 800-1100 watts for 3-5 minutes to form the chromium nitride film.

備註

本會(收文號1120069313)同意該校112年10月20日高科大產字第1122800446號函申請終止維護專利(國立高雄科技大學)