單端無載式靜態隨機存取記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101144358

專利證號

I 482154

專利獲證名稱

單端無載式靜態隨機存取記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2015/04/21

技術說明

一種單端無載式靜態隨機存取記憶體，其包含至少一靜態隨機存取記憶體單元、一預放電電路、一反位元線及一位元線，該靜態隨機存取記憶體單元具有一第一電晶體、一第二電晶體、一第三電晶體、一第四電晶體及一防擾動電晶體，該第一電晶體之ㄧ第一端電性連接該第二電晶體之ㄧ第四端及該第四電晶體之ㄧ第七端，該第二電晶體之ㄧ第三端電性連接該第一電晶體之ㄧ第二端及該第三電晶體之ㄧ第五端，該第三電晶體之ㄧ第六端電性連接該第四電晶體之ㄧ第八端及該防擾動電晶體之ㄧ第九端，該反位元線電性連接該預放電電路及該防擾動電晶體之一第十端，該位元線電性連接該反位元線。 A single-ended load-less static random access memory includes at least one static random access memory cell, a pre-discharger, a bit line bar and a bit line. The static random access memory cell comprises a first transistor, a second transistor, a third transistor, a fourth transistor and an anti-disturbance transistor. A first end of the first transistor electrically connects to a fourth end of the second transistor and a seventh end of the fourth transistor, a third end of the second transistor electrically connects to a second end of the first transistor and a fifth end of the third transistor, and a sixth end of the third transistor electrically connects to an eighth end of the fourth transistor and a ninth end of the anti-disturbance transistor. The bit line bar electrically connects to the pre-discharger and a tenth end of the anti-disturbance transistor, and the bit line electrically connects to the bit line bar.

備註

本部(收文號1070007387)同意該校107年1月23日中產營字第1071400099號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址