塑膠基板上元件製程之微波處理方法Microwave Annealing Method for Device Processing with Plastic Substrate

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/899,206

專利證號

US 8,026,186 B2

專利獲證名稱

塑膠基板上元件製程之微波處理方法Microwave Annealing Method for Device Processing with Plastic Substrate

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2011/09/27

技術說明

本發明提供了一種應用於塑膠基板之微波製程方法，其係利用脈衝式微波退火取代傳統之熱板退火方式對有機光電元件進行退火，以避免製程溫度使塑膠基板產生變形及變質而影響元件效率，並且以接觸角量測方法證實利用脈衝式微波退火相較於熱板退火能獲得較好的有機層表面接著度因而有助於後續成膜，而大幅提升太陽能電池(實施例)之轉換效率。本發明之另一特色係在於連續式之微波退火在製程中會造成塑膠基材上之導電層因過度受熱而碎裂，而脈衝式微波退火則可以有助於避免導電層產生裂化現象。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址