整合被動元件之半導體裝置

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101149730

專利證號

I 488286

專利獲證名稱

整合被動元件之半導體裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/06/11

技術說明

在類比電路設計中有時需要較大被動元件設計，然而大的RLC值代表須要消耗大量面積，使製造成本大幅上升。以電晶體實現大被動元件亦可見於文獻之中，但是卻有著線性度不足等缺點。。習知DRAM製程中已有將deep trench設計納入達到高容值的目的，但其無法提供雙方向的電壓訊號通過，因此無法應用於類比電路中。 本專利申請案提出一種應用矽穿孔技術，利用導電層與其間的另一種材料製作出電容、電阻以及電感。此矽穿孔不需一定要完全穿過整個矽晶片，也可放置在晶片正面或是背面來進一步節省面積。亦可在晶片背後以MEMS製程製做出電容、電阻以及電感，並以矽穿孔連接至正面的電路，達到降低面積消耗的目的。 在類比電路設計中有時需要較大被動元件設計，然而大的RLC值代表須要消耗大量面積，使製造成本大幅上升。以電晶體實現大被動元件亦可見於文獻之中，但是卻有著線性度不足等缺點。。習知DRAM製程中已有將deep trench設計納入達到高容值的目的，但其無法提供雙方向的電壓訊號通過，因此無法應用於類比電路中。 本專利申請案提出一種應用矽穿孔技術，利用導電層與其間的另一種材料製作出電容、電阻以及電感。此矽穿孔不需一定要完全穿過整個矽晶片，也可放置在晶片正面或是背面來進一步節省面積。亦可在晶片背後以MEMS製程製做出電容、電阻以及電感，並以矽穿孔連接至正面的電路，達到降低面積消耗的目的。

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址