低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法METHOD OF MAKING A LOW-DEFECT-DENSITY EPITAXIAL SUBSTRATE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095124658

專利證號

I 323006

專利獲證名稱

低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法METHOD OF MAKING A LOW-DEFECT-DENSITY EPITAXIAL SUBSTRATE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2010/04/01

技術說明

本發明是低表面缺陷密度之磊晶基板的製造方法及其製品。該方法是先將基材表面形成多數凹洞，接著自上開始橫向磊 晶形成第一磊晶層，以減少基材對應發生在該等凹洞位置之缺陷向上延伸至第一磊晶層， 然後於第一磊晶層上形成 一對應錯位於該等凹洞位置而遮覆部分表面用以阻擋基材對應發生在該等凹洞位置之間的缺陷再向上延伸的阻擋層，最 後自第一磊晶層表面未被阻擋層遮覆之區域橫向磊晶形成包覆阻擋層的第二磊晶層，即製得表面缺陷密度極低的磊晶基 板。

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

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