一種γ相三硒化二銦 (In2Se3)層狀半導體之太陽光儲能元件及濺鍍靶材A γ -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors as a solar storage energy component and a sputtering target

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103111751

專利證號

I 495750

專利獲證名稱

一種γ相三硒化二銦 (In2Se3)層狀半導體之太陽光儲能元件及濺鍍靶材A γ -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors as a solar storage energy component and a sputtering target

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣科技大學

獲證日期

2015/08/11

技術說明

本發明係一種γ相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體之太陽光儲能元件，其係包括:至少一γ相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體，其係由至少一無機硫屬元素與至少一銦金屬組合而成；其中至少一光源所產生的一第一波長，穿透該γ相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體後，成為一第二波長。藉此利用本發明之特點可成為光電元件、濾光元件以及電阻邏輯器之功能。此外本發明也係一種γ相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體之濺鍍靶材，其係包括:至少一γ相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體，其係由至少一無機硫屬元素與至少一銦金屬組合而成；一第一可相變半導體層，係包括該γ相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體以及一 相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體；以及一第二可相變層狀半導體層，係包括該γ相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體以及該 相三硒化二銦 (In2Se3 )層狀半導體；其中該第一可相變半導體層施加一高能量會相變為第二可相變層狀半導體層，藉由上述該層狀半導體具有可相變之特性，可成為可擦拭光學記憶材料層之濺鍍靶材。 The present invention is a γ -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors as sputtering target , comprising: at least one γ -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors , which consists of at least one inorganic sulfide with at least one indium metal ; a first transformed phase layered semiconductors , including a γ -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors and a -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors ; and a second transformed phase layered semiconductors , including a γ -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors and a -phase diindium triselenide (In2Se3) layered semiconductors; wherein the first transformed phase layered semiconductors can be transformed phase to be the second transformed phase layered semiconductors by way of gettting a high energy .

備註

本部(收文號1100026462)同意該校110年5月11日臺科大研字第1100103785號函申請終止維護專利(台科大)

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