微波電漿束成長含碳薄膜之裝置、方法及製成品

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096110652

專利證號

I 341335

專利獲證名稱

微波電漿束成長含碳薄膜之裝置、方法及製成品

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺北科技大學

獲證日期

2011/05/01

技術說明

本研究主要是建立新世代智慧型機光電材整合設備之實驗工作平台，結合網路遠端監控應用在微波電漿化學氣相沈積系統（MPCVD）其目的進行研究薄膜製程之自動化，建構其自動化所需之設備。以微波功率感測器所提供之訊號，判斷參數是否正確，並透過模糊控制理論與單晶片處理輸出控制訊號至實驗工作平台控制器以達成控制之目的。本系統可提供三種參數設定模式，原有工作平台之手動操控模式，近端手動遙控操作模式及遠端網路監控模式，可提高系統操作方便性、精確性、重現性、成功率及低反射功率，增加日後研究使用的再現性與精確度。並藉由此控制技術來對產業界的電漿輔助鍍膜技術，提供一套有效、完善的電漿控制方法，將可提供學術界及產業界應用。 This study focuses on the remote control techniques applying in microwave plasma chemical vapor deposition system and integrates intelligent remote monitoring and control technology into microwave plasma chemical vapor deposition (MPCVD) system with the reflected microwave power as the main feedback signal. A fuzzy control technology is used to adjust electromagnetic field distribution, plasma density, and reflected microwave power of the MPCVD system. The intelligent control includes establishment of database, fuzzification of principal component, membership function, fuzzy inference rules, and defuzzification. An (X, Y) position of (19.3 cm, 10 cm) for E-H tuner adjustment is found to have the lowest average reflected power. From this study, it showed that the techniques are probable using in the industry and academia.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

專利技轉組

連絡電話

02-87720360

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