發光二極體及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094115330

專利證號

I 248222

專利獲證名稱

發光二極體及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2006/01/21

技術說明

一種發光二極體的製造方法，包括下列步驟。首先在一磊晶基板上依序形成一第一型摻雜半導 體層、一發光層以及一第二型摻雜半導體層。然後在第二型摻雜半導體層上形成一金層。提供 一接合基板，此接合基板包括一矽基板與配置於矽基板上的一含鍺材料層。之後，以此接合基 板與金層進行一接合製程。然後，移除磊晶基板。基於上述，本發明之發光二極體的製造方法 能夠製造出具有較佳可靠度與較佳發光效率的發光二極體。此外，本發明亦揭露一種發光二極 體。

備註

本部(收文號1050047992)同意該校105年7月7日中大研字第1051430192號函申請終止維護專利97件(中央)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

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