電阻式記憶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103135722

專利證號

I 560918

專利獲證名稱

電阻式記憶體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2016/12/01

技術說明

本發明揭示一種電阻式記憶體，用於大幅度增加電阻式記憶體模組的集成密度，該電阻式記憶體包含:二電極層；及一多階阻態層，設於該二電極層之間，該多階阻態層主要由含氧絕緣材料及鋰離子。藉此，可增加單一記憶體元件用於儲存的電阻態。經由實驗發現本記憶體在off態之態位密度非常密集且分佈廣，並且能透過脈衝進行操作。習知在數位訊號當中兩個態位就能記憶一個位元，而四個態位就能記憶兩個位元，若能大幅度提升單一記憶體元件記憶之態位數量，則能夠大幅度增加記憶體之容量。 This invention discloses a resistance random access memory to increase the integration density for the module of the RRAM substantially. the resistance random access memory comprises two electrodes and a multi-stage resistance layer disposed between the two electrodes. The multi-stage resistance layer consists essentially of isolated materials with oxygen and lithum ion. Thus, it can increase the resistance state for storage in a memory unit. Two states storage a bit for digital siganl, thus, Four states storage two bits. If the quantity of states increased in one memory device, the memory capacitance increased too.

備註

本會(收文號1120068549)同意該校112年10月17日中產營字第1121401049號函申請終止維護專利(國立中山大學 )

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