光定址電位感測元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104142537

專利證號

I 585401

專利獲證名稱

光定址電位感測元件

專利所屬機關 (申請機關)

長庚大學

獲證日期

2017/06/01

技術說明

本發明提供了一種光定址電位感測元件，包含一導電基板、一金屬氧化半導體層以及一感測層，其中該金屬氧化半導體層之材料為氧化銦鎵鋅(IGZO)、氧化銦鎵(IGO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋅(ZnO)，透過金屬氧化半導體層具有寬能帶之特性，使得該光定址電位感測元件不受可見光之干擾，大幅提升了光定址電位感測元件之穩定性。 本發明係為解決傳統光定址電位感測元件在運用時容易受到外界可見光之干擾，影響其穩定性以及準確度之問題。 This invention provides a light addressable potentiometer sensing unit, comprising 　a conductive substrate, a metal oxide semiconductor layer and a sensing layer. Wherein the material of the metal oxide semiconductor layer comprises IGZO, IGO, IZO or ZnO.　Hence, due to its wide energy band gap in the metal oxide semiconductor layer, no visible light absorption is observed. The stability of this invention is increased significantly.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術移轉中心

連絡電話

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