互補金氧半-微機電系統的製程 CMOS-MEMS PROCESS

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

11/270,523

專利證號

US 7,435,612 B2

專利獲證名稱

互補金氧半-微機電系統的製程 CMOS-MEMS PROCESS

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2008/10/14

技術說明

A fully CMOS compatible MEMS multi-project wafer process comprises coating a layer of thick photoresist on a wafer surface, patterning the photoresist to define a micro-machining region, and performing a micromachining in the micromachining region to form suspended microstructures.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址